Ikw75n65es5 Infineon IGBT 75A 650V Componente Eletrônico

Informação básica

Modelo Nº.	IKW75N65ES5
Certificação	RoHS
Estrutura de encapsulamento	Chip Transistor
Instalação	Plug-in Triodo
Função	Power Triodo
Material	Plástico e Cobre
Descrição detalhada	Transistor bipolar de porta isolada
Número de produto	Ikw75n65es5
Nível Máximo de Tensão	650,0 V
Categoria	Igbts - Solteiro
Tensão - Avaria Coletor Emissor	650V
Descrição do Samacsys	Transistores IGBT Trenchstop
Tipo de montagem	Através do orifício
Pacote de transporte	Tubo
Especificação	Plástico e cobre
Marca comercial	CHN
Origem	China

Descrição do produto

Atributos do produto

•Tensão de saturação coletor-emissor muito baixa VCEsat •Melhor compensação da categoria entre perdas de condução e comutação •Tensão de interrupção de 650 V •Baixa carga QG •Temperatura máxima da junção 175°C •Qualificado de acordo com JEDEC para aplicações de destino •Pb-livre de chumbo

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