Lingote de silício de cristal único Fzn/CZ 4/5/6/8/12 polegadas pureza 99,999999% cristal/célula solar policristalina/silício de circuito integrado semicondutor
Informação básica
Modelo Nº. | 2\3\5\5\6\8\12 polegadas |
Lingote | Quase Quadrado ou Cilindro |
Orientação Cristal | <100>, <111>,<110>+/-1 grau |
Resistividade | 0,01-20.000 Om/Cm ou conforme necessário |
Rrv | 5% Mín. |
Pacote de transporte | como pedido |
Especificação | personalizado |
Marca comercial | seeopto |
Origem | Chengdu |
Código SH | 9001909090 |
Capacidade de produção | 5000 peças/ano |
Descrição do produto
Lingote de Silício monocristal
Os wafers Float Zone (também Floating Zone ou FZ) são usados principalmente para aplicações nas quais resistividade muito alta ou ausência de oxigênio são necessárias para um bom desempenho do dispositivo. Tais aplicações incluem energia discreta, energia MOS, células solares de alta eficiência e chips de comunicação RF/sem fio.
Os wafers FZ são cortados de lingotes fabricados pelo processo de zona flutuante, no qual uma haste de silício policristalino ou monocristalino é passada por um aparelho de refino de zona que derrete e solidifica novamente o silício em uma haste monocristalina. Durante o processo de refino de zona, todas as impurezas, incluindo dopantes substitucionais, como boro, fósforo, arsênico, antimônio e impurezas metálicas, são empurradas para a frente da região fundida e reincorporadas ao lingote monocristalino em concentrações muito mais baixas. Isso permite níveis de dopagem muito baixos e resistividades muito altas e a eliminação de oxigênio.
Os lingotes FZ podem ser dopados intencionalmente através da introdução de dopantes de gás na interface fundida, ou dopados posteriormente através do processo de Dopagem por Transmutação de Nêutrons (NTD), no qual os isótopos de silício Silício30 são convertidos em Fósforo31 levando a um material do tipo n.
Lingote de Zona Flutuante
Os wafers Float Zone (também Floating Zone ou FZ) são usados principalmente para aplicações nas quais resistividade muito alta ou ausência de oxigênio são necessárias para um bom desempenho do dispositivo. Tais aplicações incluem energia discreta, energia MOS, células solares de alta eficiência e chips de comunicação RF/sem fio.
Detalhes do produto
Diâmetro | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" |
, < 1-1-1 > , < 1-1-0 >/td> | |||||||
5,000 Ω•cm, >10,000 Ω•cm, >20,000 Ω•cm/td> | |||||||
500us, >1,000us, /td> |