75A/1200V E75 Módulo IGBT Substituir Infineon Fp75r12kt4

Informação básica

Modelo Nº.	WGL75P120E75
Modelo	Wgl75p120e75
Número do lote	2021+
Marca	Cetc
Material chave	sic
Pacote de transporte	caixa
Especificação	C122,5*L62,5 mm
Origem	Cn
Código HS	8504409190

Descrição do produto

Foto do produto:Parâmetro do produto:

Parâmetro	símbolo	condições	valor	unidade
Tensão Coletor-Emissor	VCES	VGE=0V, euC=1mA, Tvj=25ºC	1200	V
Corrente Contínua do Coletor	EUC	Tc=80ºC, Tvjmax=175ºC	75	A
Pico da Corrente do Coletor	EUCRM	tp=1ms	150	A
Tensão Gate-Emissor	VGES	Tvj=25ºC	±20	V
Dissipação de potência total (inversor IGBT)	Paté	Tc=25ºC Tvjmax=175ºC	476	C

 

Características

• Caso de baixa indutância
• Baixas perdas de comutação
• Sensor de temperatura NTC integrado
• Placa de base isolada
• Incluindo FWD antiparalelo de recuperação rápida e suave
• Alta capacidade de curto-circuito (10us)
• Estrutura do módulo de baixa indutância
• Temperatura máxima de junção 175ºC

Benefícios

• Maior corrente de saída do inversor para o mesmo tamanho de quadro
• Custos de sistema reduzidos pela simplificação dos sistemas inversores
• Montagem fácil e mais confiável
• Alta confiabilidade de interconexão
• adequado para processo de prensagem e soldagem

Formulários

• Veículos comerciais, de construção e agrícolas (CAV)
• Controle de motores e acionamentos
• Soluções para sistemas de energia solar
• Fonte de alimentação ininterrupta (UPS)
• Máquina de solda de comutação suave
• Amplificador de servo drive AC e DC

O módulo E75 IGBT é um dos pacotes IGBT mais populares em todo o mundo e é usado em muitas aplicações diferentes, como inversores de uso geral; Veículos Comerciais, de Construção e Agrícolas, bem como eBus; Solar; Vento; Tração; UPS e, finalmente, Transmissão e Distribuição. Na última geração de módulos, agora é possível aumentar a corrente do módulo para 150 A. Isso é possível por meio da nova tecnologia que permite maior densidade de potência e custos reduzidos de BoM. Diagrama de circuito